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Bestimmung der Halbwertszeit von \({}^{220}{\rm{Rn}}\)
- Bestimmung der Halbwertszeit von \({}^{220}{\rm{Rn}}\)
Energiezufuhr bei Halbleitern
- Nachweis, dass durch Energiezufuhr bei Halbleitern Ladungen aus ihren Bindungen gelöst werden können.
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Einweggleichrichtung
Mit diesem Versuch soll gezeigt werden, dass mit einer Diode eine Wechselspannung in eine pulsierende Gleichspannung gewandelt werden kann.
Mit diesem Versuch soll gezeigt werden, dass mit einer Diode eine Wechselspannung in eine pulsierende Gleichspannung gewandelt werden kann.
Doppelweggleichrichtung
Mit diesem Versuch soll gezeigt werden, dass mit einer Kombination von vier Dioden (Brückengleichrichter) eine Wechselspannung in eine pulsierende Gleichspannung gewandelt werden kann.
Mit diesem Versuch soll gezeigt werden, dass mit einer Kombination von vier Dioden (Brückengleichrichter) eine Wechselspannung in eine pulsierende Gleichspannung gewandelt werden kann.
Diodeneigenschaften des Transistors
Mit diesem Versuch wird gezeigt, dass ein Transistor "vordergründig" als Kombination zweier einander entgegengeschalteter Dioden aufgefasst werden.
Mit diesem Versuch wird gezeigt, dass ein Transistor "vordergründig" als Kombination zweier einander entgegengeschalteter Dioden aufgefasst werden.
RÖNTGEN-Emissionsspektrum
- Zentrale Eigenschaften des Röntgenspektrums ermitteln
- Einfluss der Betriebsspannung, des Drehkristalls und des Anodenmaterials auf das Spektrum analysieren
- Zentrale Eigenschaften des Röntgenspektrums ermitteln
- Einfluss der Betriebsspannung, des Drehkristalls und des Anodenmaterials auf das Spektrum analysieren
Aufnahme der Diodenkennlinie
Mit diesem Versuch werden die Kennlinien von Dioden aufgenommen, also der Zusammenhang zwischen der an einer Dioden anliegenden Spannung und der Stärke des daraus resultierenden Stroms durch die Diode untersucht.
Mit diesem Versuch werden die Kennlinien von Dioden aufgenommen, also der Zusammenhang zwischen der an einer Dioden anliegenden Spannung und der Stärke des daraus resultierenden Stroms durch die Diode untersucht.
Resonanzabsorption und Resonanzfluoreszenz bei Molekülen (Simulation von PhET)
- Darstellung der quantenhaften Absorption von Photonen durch Moleküle
- Darstellung der unterschiedlichen Anregungsformen der Moleküle bis hin zur Ionisation
- Darstellung der Übereinstimmung der Energie der absorbierten und der emittierten Photonen
- Darstellung der quantenhaften Absorption von Photonen durch Moleküle
- Darstellung der unterschiedlichen Anregungsformen der Moleküle bis hin zur Ionisation
- Darstellung der Übereinstimmung der Energie der absorbierten und der emittierten Photonen
Messung der Schallgeschwindigkeit (Smartphone-Experiment mit phyphox)
Mit zwei Smartphones kannst du zusammen mit einer zweiten Person im Unterricht oder zu Hause die Schallgeschwindigkeit messen. Die App auf den beiden Smartphones bestimmt dabei die Zeitspanne, die der Schall benötigt, um eine vorgegebenen Strecke zu durchlaufen.
Mit zwei Smartphones kannst du zusammen mit einer zweiten Person im Unterricht oder zu Hause die Schallgeschwindigkeit messen. Die App auf den beiden Smartphones bestimmt dabei die Zeitspanne, die der Schall benötigt, um eine vorgegebenen Strecke zu durchlaufen.
Ventilwirkung einer Diode
Mit dem Versuch soll die Ventilwirkung eines p-n-Übergangs, also einer Halbleiterdiode gezeigt werden.
Mit dem Versuch soll die Ventilwirkung eines p-n-Übergangs, also einer Halbleiterdiode gezeigt werden.
Eingangskennlinie des Transistors
Mit diesem Versuch soll der Zusammenhang zwischen der Basis-Emitter-Spannung und dem Basisstrom bei einem npn-Transistor untersucht werden. Die graphische Darstellung dieses Zusammenhangs bezeichnet man als Eingangskennlinie.
Mit diesem Versuch soll der Zusammenhang zwischen der Basis-Emitter-Spannung und dem Basisstrom bei einem npn-Transistor untersucht werden. Die graphische Darstellung dieses Zusammenhangs bezeichnet man als Eingangskennlinie.
Stromsteuerkennlinie des Transistors
Mit diesem Versuch soll der Zusammenhang zwischen dem Basisstrom und dem Kollektorstrom bei einem npn-Transistor untersucht werden. Die graphische Darstellung dieses Zusammenhangs bezeichnet man als Stromsteuerkennlinie.
Mit diesem Versuch soll der Zusammenhang zwischen dem Basisstrom und dem Kollektorstrom bei einem npn-Transistor untersucht werden. Die graphische Darstellung dieses Zusammenhangs bezeichnet man als Stromsteuerkennlinie.
Ausgangskennlinienfeld des Transistors
Mit diesem Versuch soll der Zusammenhang zwischen der Kollektor-Emitter-Spannung und dem Kollektorstrom für verschiedene Basisströme bei einem npn-Transistor untersucht werden. Die graphische Darstellung dieses Zusammenhangs bezeichnet man als Ausgangskennlinienfeld.
Mit diesem Versuch soll der Zusammenhang zwischen der Kollektor-Emitter-Spannung und dem Kollektorstrom für verschiedene Basisströme bei einem npn-Transistor untersucht werden. Die graphische Darstellung dieses Zusammenhangs bezeichnet man als Ausgangskennlinienfeld.