Direkt zum Inhalt

Versuche

Diodeneigenschaften des Transistors

Das Ziel des Versuchs

Mit diesem Versuch wird gezeigt, dass ein Transistor "vordergründig" als Kombination zweier einander entgegengeschalteter Dioden aufgefasst werden.

Aufbau und Durchführung

Joachim Herz Stiftung
Abb. 1 Versuchsaufbau

Für den folgenden Versuch benötigen wir eine \(4{,}5\,\rm{V}\)-Batterie als Spannungsquelle, eine LED, einen Vorwiderstand (hier \(R=1\,\rm{k\Omega}\)) und einen npn-Transistor.

Wir schließen abwechselnd den Pluspol bzw. den Minuspol der Spannungsquelle an die "Diodenanschlüsse" B (Basis), C (Collector) und E (Emitter) an. Ein Aufleuchten der LED zeigt uns an, ob die entsprechende Diodenstrecke des Transistors in Durchlassrichtung gepolt ist.

Beobachtung und Erklärung

Abb. 2 Aufbau, Durchführung und Beobachtungen des Versuchs zum Nachweis der Diodeneigenschaften eines Transistors
Pluspol P Minuspol M LED
B E hell
E B dunkel
B C hell
C B dunkel
C E dunkel
E C dunkel

 

 

 

 

 

 

 

Hinweise

Die Kollektor-Emitter-Strecke leitet unabhängig von der Polung nie.

Beim pnp-Transistor liegen die Verhältnisse ähnlich, jedoch ist die Polung jeweils umzukehren.

Die Überprüfung der Diodeneigenschaften des Transistors (z.B. mit einem Ohmmeter) kann als erster Test für die Funktionsfähigkeit eines Transistors dienen.