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p-n-Übergang-Halbleiterdiode - Raumladungszone (Animation)

Typ:Animationen

Entstehung der Raumladungszone an der Kontaktfläche von p- und n-dotierten Halbleitern

Die Animation zeigt die Entstehung der Raumladungszone an der Kontaktfläche von p- und n-dotierten Halbleitern. Bringt man einen p- und einen n-dotierten Halbleiter zusammen, so entsteht im Bereich der Kontaktfläche ein sog. Raumladungszone, in der sich keine frei beweglichen Ladungsträger mehr befinden.

Größe: 130.95 KB

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