a) Berechnung des Vorwiderstands:\[I_{\rm{B,max}} = \frac{U}{R_{\rm{V}}} \Leftrightarrow R_{\rm{V}} = \frac{U}{{{I_{\rm{B,max}}}}} \Rightarrow R_{\rm{V}} = \frac{4{,}5\,\rm{V}}{0{,}050 \cdot 10^{-3}\,\rm{A}} = 90\,\rm{k\Omega}\]Hinweis: Soll der Spannungsabfall \({U_{\rm{BE}}}\) berücksichtigt werden (er beträgt bei Transistoren aus Germanium ca. \(0{,}3\,\rm{V}\) und bei Transistoren aus Silizium ca. \(0{,}6\,\rm{V}\)), so muss der Vorwiderstand durch\[I_{\rm{B,max}} = \frac{{U - {U_{\rm{BE}}}}}{R_{\rm{V}}} \Leftrightarrow R_{\rm{V}} = \frac{{U - {U_{\rm{BE}}}}}{{{I_{\rm{B,max}}}}}\]berechnet werden.
b) Berechnung des Kollektorstroms:\[\beta = \frac{{{I_{\rm{C}}}}}{{{I_{\rm{B}}}}} \Leftrightarrow {I_{\rm{C}}} = \beta \cdot {I_{\rm{B}}} \Rightarrow {I_{\rm{C}}} = 180 \cdot 0{,}050\,\rm{mA} = 9{,}0\,\rm{mA}\]Berechnung des Spannungsabfalls am Kollektorwiderstand:\[{U_{{R_{\rm{C}}}}} = {I_{\rm{C}}} \cdot {R_{\rm{C}}} \Rightarrow {U_{{R_{\rm{C}}}}} = 9{,}0 \cdot {10^{-3}}\,\rm{A} \cdot 200\,\rm{\Omega} = 1{,}8\,\rm{V}\]